더피알=김경탁 기자｜ SK하이닉스가 초고성능 AI용 메모리 신제품 ‘HBM4’ 개발을 마무리하고, 세계 최초로 양산 체제를 구축했다고 12일 밝혔다. 이번 성과는 AI 인프라의 기술적 병목을 풀고, 글로벌 메모리 시장에서 기술 리더십을 다시 입증한 전환점으로 평가된다.
HBM(High Bandwidth Memory)은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치, 고성능 제품이다. HBM은 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)-5세대(HBM3E)-6세대(HBM4) 순으로 개발돼왔다.
HBM4는 전 세대(HBM3E) 대비 대역폭을 2배로 넓히고, 전력 효율을 40% 이상 높였다. 총 2048개의 데이터 전송 통로(I/O)를 적용해 초고속 데이터 처리가 가능해졌고, 고객 시스템 적용 시 AI 서비스 성능이 최대 69% 향상될 것으로 예상된다. 또한 10Gbps 이상의 동작 속도를 구현해 국제반도체표준협의기구(JEDEC) 표준 속도(8Gbps)를 크게 상회했다.
SK하이닉스는 이번 개발에 어드밴스드 MR-MUF 공정과 10나노급 5세대(1bnm) D램 기술을 적용했다.
이 공정은 칩 쌓기 과정에서 발생하는 휨(Warpage)을 줄이고 열 방출 효율을 높여, 양산 과정의 리스크를 최소화했다.
조주환 부사장(HBM개발 담당)은 “HBM4 개발 완료는 업계에 새로운 이정표가 될 것”이라며 “고객이 요구하는 성능·에너지 효율·신뢰성을 모두 충족하는 제품을 적시에 공급해 경쟁 우위를 확보하고 신속한 시장진입을 실현하겠다”고 말했다.
김주선 AI Infra 사장(CMO)도 “HBM4는 AI 인프라 한계를 뛰어넘는 상징적 전환점으로, AI시대 기술 난제를 해결할 핵심 제품”이라며 “풀 스택 AI 메모리 프로바이더로 성장해 나가겠다”고 다짐했다.